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3.1.457已知玻璃绝缘子的现场污秽度的等级,可以来确定玻璃绝缘子的参考统一爬电比距。( )[GB/T26218.2-2010]
3.1.456对于瓷和玻璃绝缘子在污秽条件的性能无显著区别,因此玻璃或陶瓷材料的选取完全取决于老化、运行经验、维护方法等。( )[GB/T26218.2-2010]
3.1.455目前关于半导电釉和憎水性覆盖层技术,还不能给出用这些技术改进的优点和耐久性的具体信息。( )[GB/T26218.2-2010]
3.1.454某些情况下,A类污秽的SPS评定方法可以适用于B类污秽。( )[GB/T26218.1-2010]
3.1.453憎水性材料在各方因素影响下,也会在局部表面或整个表面变为暂时性亲水的。( )[GB/T26218.1-2010]
3.1.452绝缘子安装的增爬件的作用是增大绝缘子的爬电距离。( )[GB/T26218.1-2010]
3.1.451绝缘子安装的延伸伞主要通过屏障效应来改善绝缘子的性能,减少水滴桥接伞裙现象。( )[GB/T26218.1-2010]
3.1.450任何绝缘子,只要它们的轴相互接近时,对其污秽性能都会有不利影响,是因为污秽诱发放电活动期间不用的电场分布引起的电压梯度降低所致。( )[GB/T26218.1-2010]
3.1.449绝缘子在设计时首先要考虑有助于使电压分布总体均匀,其次再考虑有利于内部相关的部件。( )[GB/T26218.1-2010]
3.1.448空心绝缘子的电压分布的不均匀性的影响在低污秽水平时更明显,因为弱的阻性泄漏电流能充分地补偿/校正电压分布的不均匀性。( )[GB/T26218.1-2010]
