当设备各部分的介质损耗因数差别较大时，其综合的tgδ值接近于并联电介质中电容量最大部分的介质损耗数值。()

电容器的击穿往往是与（）相联系的，在很大程度上决定于宏观结构和工艺条件，而电容器的击穿就发生在这些弱点处。

并联电容器组出厂验收时，单元件电容器极对壳耐压试验，下列说法不正确的是（）

由于现在系统中母线的短路容量普遍较大，且变电所内同时装设两组以上的并联电容器组的情况较多，并联电容器组投入运行时，所受到的()值较大，因而并联电容器组需串接串联电抗器。

电容器组的接线方式有星形和三角形两种，在选择接线方式时，下列哪个选项中的因素不在考虑之内？

对于框架式电容器，应采用（）的测量方法逐台测量单台电容器的电容量。

将C1=20μF，额定电压100V的电容器与C2=30μF，额定电压100V的电容器串联在150V的交流电压上，C2上分的电压为（）。

若采用电压、电流表法测量UN=10kV，Qc=334kvar的电容器的电容量，试计算加压在Us=200V时，电流表的读数I。()

测量110kV及以上高压电容型套管的介质损耗因数时（），往往测量结果有较大的差别。

交流耐压试验会对某些设备绝缘形成破坏性的积累效应，而在下列各类设备中，（）却几乎没有积累效应。

检修时当套管水平存放，安装就位后，带电前必须进行静放，500kV套管静放时间应大于（）小时。