在进行TD-LTE参数规划时，以下哪些因素需要考虑（）

A. 1~2；

B. 2~3；

C. 3~4；

D. 4~5

A. 下行信道质量测量，又称为信道探测

B. 下行信道估计，用于UE端的相干检测和解调

C. 小区搜索

D. 时间和频率同步

A. 32

B. 29

C. 16

D. 15

A. 空间传播损耗：随距离衰减的电播传播损耗，为固定斜率的衰减。

B. 阴影衰落损耗（慢衰落损耗）：阴影效应，由地形地物引起，表现为高斯分布。一般通过预留慢衰落余量的方式降低对通信质量的影响。

C. 快衰落损耗：多径效应，由多径传播引起，表现为瑞利分布或莱斯分布。一般通过功控:均衡等信号处理方式解决。

D. 其他损耗，如穿透损耗等。一般通过预留损耗余量降低对通信质量的影响。

A. Maximum Input Minimum Output

B. Multiple Input Multiple Output

C. Multiple Input Maximum Output

D. Maximum Input Multiple Output

A. BCH

B. PCH

C. MCH

D. RACH

A. port 0

B. port 1

C. port 2

D. port 3

A. 天线逻辑端口与物理端口一一对应

B. 8path TM7配置下逻辑端口为1个

C. 8path TM8配置下逻辑端口为4个

D. 8path TM3配置下逻辑端口与TM8配置下的逻辑端口数相同