A、轨颚附近
B、轨头上方
C、轨头一侧上角
D、轨头三角区
答案:B
A、轨颚附近
B、轨头上方
C、轨头一侧上角
D、轨头三角区
答案:B
A. 调整给水
B. 调整探头位置、
C. 灵敏度修正
D. 盯控看波
A. 脉冲发生器
B. 接收放大器
C. 衰减器
D. 同步发生器
A. 70°探头区
B. 37°探头区
C. 轨底探头区
D. 双探头区
A. 垂直法探伤
B. 表面波探伤
C. 斜射法探伤
D. 上述三者都可
A. CSK-1A
B. 1号试块
C. WGT-3
D. 阶梯试块。
A. 晶片的厚度
B. 晶片材料的声速
C. 晶片材料的声阻抗
D. 晶片材料的密度
A. 竖向
B. 横向
C. 接触
D. 垂直
A. 声阻
B. 衰减
C. 声阻抗
D. 折射角
A. 晶片的厚度
B. 晶片材料的声速
C. 晶片材料的声阻抗
D. 晶片材料的密度
A. 连续重伤
B. 局部重伤
C. 连续轻伤
D. 局部轻伤