A、双晶片垂直法探伤
B、斜射法探伤
C、纵波垂直法探伤
D、反射法探伤
答案:B
A、双晶片垂直法探伤
B、斜射法探伤
C、纵波垂直法探伤
D、反射法探伤
答案:B
A. 6dB
B. 8dB
C. 32dB
D. 24dB
A. 细晶组织
B. 耦合剂不清洁
C. 表面粗糙
D. 粗晶组织
A. 光斑
B. 灰斑
C. 光斑和灰斑
D. 气孔
A. 2730m/s
B. 5900m/s
C. 3230m/s
D. 6250m/s
A. 紧贴
B. 分离
C. 断开
D. 连接
A. 近场区
B. 声阻抗
C. 指数场
D. 相位区
A. 10mm
B. 4mm
C. 一个波长
D. 四倍波长
A. 1mm
B. 1.5mm
C. 2mm
D. 2.5mm
A. 114mm
B. 132mm
C. 150mm
D. 148mm
A. 电磁感应原理
B. 直角反射原理
C. 惠更斯原理
D. 磁致伸缩原理