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单选题
284.>、电力场效应管MOSFET在使用和存放时,要防止()。
A
时间久而失效
B
二次击穿
C
静电击穿
D
饱和
答案解析
正确答案：C
解析：
这道题考察的是电力场效应管MOSFET的使用和存放时需要防止的问题。正确答案是C. 静电击穿。
静电击穿是指在电子器件中由于静电电荷积累导致的击穿现象，会对器件造成损坏甚至失效。因此，在使用和存放电力场效应管MOSFET时，我们需要注意防止静电击穿的发生，可以通过接地等方法来避免静电积累。
举个例子来帮助理解，就好比我们在干燥的天气里穿着羊毛衣服，容易产生静电，如果我们触摸到电子器件，就有可能给器件带来静电击穿的风险。所以，我们需要注意避免静电积累，保护电子器件的安全。
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