A、 反向击穿区
B、 反向截止区
C、 正向导通区
D、反向导通
答案:A
A、 反向击穿区
B、 反向截止区
C、 正向导通区
D、反向导通
答案:A
A. 对
B. 错
A. 隔直通交
B. 电压不能跃变
C. 储能特性
D. 容抗特性
A. 对
B. 错
A. 可控硅从关断到导通,只需阳极电位高于阴极电位即可
B. 可控硅维持导通的条件是,阳极电位高于阴极电位且电流大于维持电流
C. 阳极电位低于阴极电位,可使可控硅从导通到关断
D. 阳极电流低于维持电流,可使可控硅从导通到关断
A. 30
B. 1/30
C. 900
D. 1/900
A. 输入阻抗极高
B. 开关速度快
C. 噪声及抗干扰能力强
D. 功耗小
A. 正负离子
B. 电子和空穴
C. 空穴
D. 电子
A. 77
B. 88
C. 10
D. 9M
A. 耦合
B. 滤波
C. 旁路
D. 定时
A. 阻值越小两端电压越高
B. 各电阻两端电压相等
C. 阻值越大两端电压越高
D. 电阻两端电压大小和阻值无关