110.IGBT是()的复合管。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，是一种复合管。在选项中，A选项GTR是Gate Turn-off Thyristor的缩写，不是IGBT的复合管，所以不正确；B选项SCR是Silicon Controlled Rectifier的缩写，也不是IGBT的复合管，所以也不正确；C选项MOSFET是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor的缩写，不是IGBT的复合管，所以不正确；D选项RTD是Resistance Temperature Detector的缩写，更不是IGBT的复合管，所以也不正确。 因此，正确答案是A和C。IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，是一种复合管，同时也是GTR和MOSFET的结合体，具有GTR的高电压能力和MOSFET的高速开关特性。可以通过这种联想来帮助记忆和理解。