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3.2.605规定500kV及以上电压等级运行的绝缘子的绝缘电阻应低于( )MQ为低(零)值绝缘子。【DL/T626-2015】
3.2.604对于复合绝缘子,爬电距离较小可能造成污闪概率稍许增加,此时可以考虑通过( )设计来弥补。【GB/T26218.3-2011】
3.2.603复合绝缘子的伞倾角在( )范围时,单独的伞伸出不是一个重要参数。【GB/T26218.3-2011]
3.2.602在外径小于200mm的非垂直安装复合绝缘子,P1-P2≥0.18P1[mm]时,应选择( )伞形。【GB/T26218.3-2011】艺
3.2.601在外径小于200mm的非垂直安装复合绝缘子,P1-P2=0mm时,应选择( )伞形【GB/T26218.3-2011】
3.2.600在外径大于200mm的垂直安装复合绝缘子,P1-P2=10mm时,应选择( )伞形。【GB/T26218.3-2011】
3.2.599对支柱和空心绝缘子等大直径绝缘子来说,一般伞伸出之差的最小值至少为( )。[GB/T26218.3-2011]n
3.2.598一般而言复合绝缘子上倾角( ),下倾角类似或更小,伞下无深棱。【GB/T26218.3-211]
3.2.597现场污秽度等级为E,其基准统一爬电比距[RUSCD]最低要求的选用值为( )。[GB/T26218.3-2011]
3.2.596现场污秽度等级为D,其基准统一爬电比距[RUSCD]最低要求的选用值为( )。[GB/T26218.3-2011]
