3.2.788接地体顶面埋设深度应符合设计规定。当无规定时,不宜小于( )。[GB50169-2006]

1.1.688统一爬电比距一般以mm/kV为单位来表达,且通常表示为最大值。( )。【GB/T26218.1-2010]

1.1.687按GB/T4585盐雾试验的盐度,一般以kG/m3表示该盐度能够在相同电压下,在相同绝缘子上产生与自然污秽可比较的泄漏电流峰值,称为现场等值盐密(SES)。( )。[GB/T26218.1-2010]

1.1.686从绝缘子一个给定表面上清洗下的不溶残留物的量除以该表面的面积称为灰密。( )。【GB/T26218.1-2010】

1.1.685绝缘子外形参数是指对污秽性能有影响的一组几何参数。( )。【GB/T26218.1-2010]

1.1.684绝缘子绝缘件部分地覆盖有高电阻层,如半导电釉,那么这样的部分应考虑作为有效的绝缘表面并且其中的距离应包括在爬电距离内。( )。【GB/T26218.1-2010】

1.1.683水泥或其他非绝缘的胶合材料表面不作为爬电距离部分。( )。【GB/T26218.1-2010]

1.1.682绝缘子主体上突出的绝缘部分是用来增加爬电距离的。( )。【GB/T26218.1-2010]

1.1.681绝缘子正常承载运行电压的两部件间沿绝缘件表面的最长距离称为爬电距离。( )。[GB/T26218.1-2010]

1.1.680对于直径较小的绝缘子不能称作绝缘子杆体。( )。【GB/T26218.1-2010】

1.1.679现场污秽度是在经过适当的积污时间后记录到的等值盐密/灰密或现场等值盐度的平均值。( )。【GB/T26218.1-2010】