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单选题
为防止造成同一个系统多个IGBT中某个的误导通,要求栅极配线走向应与主电流线尽可能远,且不要将多个IGBT的栅极驱动线捆扎在一起。
单选题
IGBT的转移特性是指输出集电极电流IC与栅射控制电压UGE之间的关系曲线。
单选题
取用MOSFET器件时,应拿器件管壳,而不要拿引线。
单选题
焊接MOSFET时,对三个电极的焊接顺序没有要求。
单选题
在测试MOSFET时,改换测试范围时,电压和电流都必须先恢复到最大值。
单选题
在测试MOSFET时,改换测试范围时,电压和电流都必须先恢复到零。
单选题
在测试MOSFET时,MOSFET的三个电极未全部接入测试仪器或电路前,不要施加电压。
单选题
MOSFET的开启电压是指功率MOSFET流过一定量的漏极电流时的最小栅源电压。
单选题
MOSFET的阈值电压是指功率MOSFET流过一定量的漏极电流时的最小栅源电压。
单选题
快速熔断器可以对BJT进行过电流保护。
