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单选题
418.晶体管工作在放大状态时,发射结(),对于硅管约为0.7V,锗管约为0.3V。
单选题
417.晶体管工作在()状态时,发射结正偏,对于硅管约为0.7V,锗管约为0.3V。
单选题
416.焊点距管壳不小于10mm,电烙铁功率一般不大于45W,焊接时间不超过().
单选题
415.焊点距管壳不小于10mm,电烙铁功率一般()45W,焊接时间不超过5s.
单选题
414.焊点距管壳()10mm,电烙铁功率一般不大于45W,焊接时间不超过5s.
单选题
413.为了防止(),所有元件的引线均应预先镀锡。
单选题
412.二极管和三极管等半导体元件弯腿时,弯曲处距离壳不小于()。
单选题
411.二极管和三极管等半导体元件弯腿时,弯曲处距离壳()5mm。
单选题
410.控制箱内外所有电气设备和电气元件的编号,必须与()上的编号完全一致。
单选题
409.管内配线时,管内导线一般不允许超过10根,同一根线管内不允许穿()或不同电度表的导线。
