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单选题
424.单管电压放大电路的动态分析时的电压放大过程,()在直流电源和交流信号的作用下,电路中电流和电压既有直流分量,又有交流分量。
单选题
423.单管电压放大电路的动态分析时的交流通路,由于耦合电容C1、C2对交流的容抗很小,可把C1、C2看成是短路,直流电源Ucc的内阻很小,所以可把Ucc看成是()。
单选题
422.单管电压放大电路的动态分析时的交流通路,由于耦合电容C1、C2对交流的容抗很小,可把C1、C2看成是(),直流电源Ucc的内阻很小,所以可把Ucc看成是短路。
单选题
421.单管电压放大电路的动态分析时的交流通路,由于耦合电容C1、C2对交流的容抗(),可把C1、C2看成是短路,直流电源Ucc的内阻很小,可把Ucc看成是短路。
单选题
420.晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,对于硅管约为0.7V,锗管约为()。
单选题
419.晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,对于硅管约为(),锗管约为0.3V。
单选题
418.晶体管工作在放大状态时,发射结(),对于硅管约为0.7V,锗管约为0.3V。
单选题
417.晶体管工作在()状态时,发射结正偏,对于硅管约为0.7V,锗管约为0.3V。
单选题
416.焊点距管壳不小于10mm,电烙铁功率一般不大于45W,焊接时间不超过().
单选题
415.焊点距管壳不小于10mm,电烙铁功率一般()45W,焊接时间不超过5s.
