测量1Ω以下的电阻应选用（）

三相全控桥式整流主电路，实质上是由共阴极组 (1、3、5)与共阳极组 (2、4、6)两组电路并联而成。

三相半波可控整流电路的接法有两种，一种是共阴极接法，另一种是共阳极接法。

转移特性是指栅源电压UGS，与漏极电流ID之间的关系。

功率MOSFET是一种单极型的电压控制器件。

普通晶闸管通过门极能控制开通和控制关断，所以是全控型器件。

功率MOSFET的静态特性主要包括输出特性和转移特性。

GTO器件工作时，必须有正向门极脉冲来触发其导通，还需要有较大功率的反向脉冲来控制其关断。

绝缘栅双极型晶体管内部为四层结构。

电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿。

凡是不能输出负波形的电路，均不能实现有源逆变。