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检测专业理论知识题库
1,606
单选题

2.72下列关于漏磁场的叙述,正确的是:( )

A
 内壁缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大
B
 缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比
C
 表面缺陷的漏磁场,随离开表面的距离增大而急剧下降
D
 有缺陷的试件,才会产生漏磁场

答案解析

正确答案:C

解析:

72题目解析:正确答案是C。表面缺陷的漏磁场随离开表面的距离增大而急剧下降。这是因为漏磁场是由缺陷引起的磁场变化所产生的,离开缺陷的表面,磁场的影响逐渐减弱,所以随着距离增大,漏磁场逐渐减小。

相关知识点:

表面缺陷漏磁场随距面增大降

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