2.78一般来说试件中的磁感应强度在达到B-H曲线拐点附近时,漏磁场急剧增大。( )

**解析：** 该说法是**正确**的。 **详细分析如下：** 1. **B-H 曲线与磁导率的关系**： * B-H 曲线（磁化曲线）描述了铁磁性材料中磁感应强度 $B$ 随磁场强度 $H$ 变化的规律。 * 曲线的斜率代表材料的磁导率 $\mu$ ($\mu = dB/dH$)。 * 在 B-H 曲线的初始阶段和线性阶段，磁导率较高且相对稳定。 * **拐点附近**通常指的是磁化曲线从线性区进入饱和区的过渡区域，或者是最大磁导率点附近。在这个区域，材料的磁特性发生剧烈变化。 2. **漏磁场的产生机理**： * 漏磁场是由于试件中存在缺陷（如裂纹、夹杂等）或不连续性，导致磁力线发生畸变并溢出试件表面形成的。 * 漏磁场的强度主要取决于两个因素： 1. 试件中的**磁感应强度 $B$** 的大小。 2. 缺陷处的**磁阻变化**（即缺陷对磁力线的阻碍作用）。 3. **为什么在拐点附近漏磁场急剧增大**： * 当试件中的磁感应强度 $B$ 较低时，虽然磁导率高，但总的磁通量小，因此产生的漏磁场较弱。 * 随着 $H$ 增加，$B$ 增大，漏磁场随之增强。 * 当 $B$ 达到 B-H 曲线的**拐点附近**（通常接近膝点，即开始进入磁饱和的区域）时，基体材料的磁导率开始显著下降，而缺陷（通常是空气或非磁性物质）的磁导率保持不变（很低）。这导致缺陷处与基体材料之间的**磁导率差异**变得非常显著，磁阻对比度最大。 * 此时，大量的磁力线被迫绕过缺陷或溢出表面，从而形成**最强**的漏磁场。 * 如果继续增加 $H$ 使材料进入深度饱和状态，虽然 $B$ 还在缓慢增加，但基体材料的磁导率进一步降低并趋近于真空磁导率，缺陷处与基体的磁导率差异减小，漏磁场的增长会变缓甚至略有下降，且容易造成背景噪声过大。 **结论：** 在磁粉检测等无损检测技术中，为了获得最高的检测灵敏度，通常选择将试件磁化到 B-H 曲线的拐点附近（即接近饱和但未完全饱和的状态），因为此时漏磁场信号最强，最有利于缺陷的发现。因此，题目所述“漏磁场急剧增大”是符合物理规律和工程实践的。 故答案为：**正确**。