49. 电容型设备如耦合电容器、套管、电流互感器等,其电容屏间绝缘局部层次击穿短路后,测得的电容量Cx变大。( )

49. L、C串联电路的谐振频率f0等于( )。

48. R、L、C串联电路,在电源频率固定不变条件下,为使电路发生谐振,可用( )的方法。

47. 用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tanδ时,在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下,其测得值主要反映的是( )的绝缘状况。

46. 用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tanδ,在试品底座法兰对地绝缘,电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下,其测得值主要反映( )的绝缘状况。

45. 测量局部放电时,要求耦合电容( )。

44. 电容式电压互感器电气试验项目( )的测试结果与其运行中发生二次侧电压突变为零的异常现象无关。

43. 110~220kV电磁式电压互感器,电气试验项目( )的测试结果与其油中溶解气体色谱分析总烃和乙炔超标无关。

42. 额定电压220~330kV的油浸式变压器,电抗器及消弧线圈应在充满合格油,静置一定时间后,方可进行耐压试验。其静置时间如无制造厂规定,则应是( )。

41. 测量介质损耗因数,通常不能发现的设备绝缘缺陷是( )。

40. 测量绝缘电阻及直流泄漏电流通常不能发现的设备绝缘缺陷是( )。