单选题
28、抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致( )
A
Na+、K+、Cl-,尤其是K+
B
Na+、K+、Cl-,尤其是Na+
C
K+、Cl-,尤其是Cl-
D
K+、Cl-,尤其是K+
E
Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+
答案解析
正确答案:C
解析:
抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致?
答案:C. K+、Cl-,尤其是Cl-
解析:在抑制性突触后电位中,突触后膜对钾离子(K+)和氯离子(Cl-)通透性增加,特别是氯离子(Cl-),导致细胞内部的电位超极化,从而抑制神经元的兴奋。
相关知识点:
抑制性电位氯钾通透性增
