28、抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致( )

**解析：** 抑制性突触后电位（IPSP）是指突触前膜释放抑制性递质，与突触后膜上的受体结合后，导致突触后膜对某些离子的通透性发生改变，从而产生的超极化电位。 1. **离子机制分析**： * 当抑制性递质（如甘氨酸、GABA等）作用于突触后膜时，主要引起突触后膜对 **$Cl^-$（氯离子）** 和 **$K^+$（钾离子）** 的通透性增加。 * 其中，**$Cl^-$ 的内流** 是导致膜电位超极化（即变得更负，远离阈电位）的主要原因。因为静息状态下，细胞内的 $Cl^-$ 浓度低于细胞外，且膜电位通常接近 $K^+$ 的平衡电位但略正于 $Cl^-$ 的平衡电位，所以 $Cl^-$ 通道开放会导致 $Cl^-$ 顺电化学梯度内流使膜电位 hyperpolarize（超极化）。 * 同时，$K^+$ 的外流也会协助产生超极化效应，但在典型的快速抑制性突触传递中，$Cl^-$ 的作用往往占据主导地位或被视为关键特征。 2. **选项排查**： * **A、B 项**：涉及 $Na^+$ 通透性增加。$Na^+$ 内流会导致膜去极化，这是兴奋性突触后电位（EPSP形成的主要机制，故排除。 * **E 项**：涉及 $Ca^{2+}$。$Ca^{2+}$ 内流通常与神经递质的释放或肌肉收缩等过程有关，不是形成 IPSP 的主要直接原因，故排除。 * **D 项**：虽然提到了 $K^+$ 和 $Cl^-$，但强调“尤其是 $K^+$”。在大多数生理学教材的标准描述中，抑制性突触后电位的产生主要归因于 $Cl^-$ 通道的开放（如 GABA_A 受体是氯离子通道），因此强调 $Cl^-$ 更为准确。 * **C 项**：指出对 $K^+$、$Cl^-$ 通透性增加，尤其是 $Cl^-$。这符合抑制性突触后电位产生的经典离子机制。 **结论：** 抑制性突触后电位的形成主要是由于突触后膜对 $K^+$、$Cl^-$ 的通透性增加，尤其是 $Cl^-$ 内流所致。 故正确答案为 **C**。