32.实际电流源的电路模型是由( )组成。

73.电力电子器件发展趋势为大容量、高频率、多功能集成化发展( )

72. IGBT开关速度一般低于Power MOSFET,导通管压降低于GTR。( )

71.功率场效应晶体管存在二次击穿问题,应限定其安全工作区域。( )

70. Power MOSFET 开关速度受到栅源电容、栅漏电容、漏源电容、开启电压及负载电阻限制。( )

69. GTO具有与普通闸管相当的耐压、耐流水平,同时具自关断的能力。( )

68.若加到晶闸管两端电压的上升率过大,就可能造成晶闸管误导通。( )

67.表示各种电力半导体器件的额定电流,都是以平均电流表示的。( )

66. KP2-5表示的是额定电压200V,额定电流500A的普通型晶闸管。( )

65.给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。( )

64.晶闸管是一种四层三端器件。( )