27.下列有关电位、电压的说法中,正确的是( )。

78.三相桥式全控整流电路主电路中主要采用了全控型半导体器件。( )

77.电力场效应晶体管属于电流驱动型器件。( )

76.绝缘栅双极晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点,因此其开关速度高于电力场效应晶体管。( )

75.全控型器件的开关速度普遍高于晶闸管。( )

74.使用大功率晶体管时,必须注意“二次击穿”问题。( )

73.电力电子器件发展趋势为大容量、高频率、多功能集成化发展( )

72. IGBT开关速度一般低于Power MOSFET,导通管压降低于GTR。( )

71.功率场效应晶体管存在二次击穿问题,应限定其安全工作区域。( )

70. Power MOSFET 开关速度受到栅源电容、栅漏电容、漏源电容、开启电压及负载电阻限制。( )

69. GTO具有与普通闸管相当的耐压、耐流水平,同时具自关断的能力。( )